ZnSe青色発光ダイオード

ZnSe青色発光ダイオードは西澤所長によって1982年開発されました。



○ 蒸気圧制御型Ar封入昇華法によるストイキオメトリー制御成長を実施しました。

ZnSe結晶

X線回折半値幅が極小となるPseを決定し、極小値5.2角度秒の結晶が得られました。

ほぼ同Pse2にてエッチピット密度(EPD)が、世界最高水準の3.1×103cm-2の値が得られました。

○ ZnSeを使うことによって、安価な青色発光ダイオードが製作可能になりました。


蒸気圧制御無

蒸気圧制御有

Ga拡散型ダイオードの発光写真


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