Ｓｉ ＭＬＥ（Ｓｉ Molecular layer Epitaxy）
Ｓｉ ＭＬＥとは
シリコンを制御性よく単分子ずつエピタキシャル成長させる技術です。西澤所長は低温において成長膜厚を高精度に制御するという点に関し、１９７４年にＴ.Suntraらによって提唱された原子層エピタキシ（Atomic layer Epitaxy：ALE）を、“表面吸着反応の制御”という観点に立って発展させた分子層エピタキシ（Molecular Layer Epitaxy：ＭＬＥ）を提唱し、１９８４年に世界で初めてGaAs分子層エピタキシを実現しています。その後半導体の主流であるシリコンに適用したシリコン分子層エピタキシを開発し、シリコンの単分子成長を確認しています。
また、ＳｉＭＬＥの応用としてＭＯＳナノ構造デバイスを試作しています。
Ｓｉ ＭＬＥの特徴
１．低温成長が可能 ２．精密な膜厚制御が可能 ３．低温成長と同時に不純物添加が可能
ガス導入シーケンス及び成長機構（ＳｉＨ２Ｃｌ２とＨ２の交互導入による例）
温度変調Ｓｉ ＭＬＥ（ＴＭＳｉ ＭＬＥ）の開発
当研究所ではジシラン（Ｓｉ２Ｈ６）ガス導入時と導入停止後の温度を独立して制御する温度変調（ＴＭ）法を適用し、これにより自己停止効果を伴うＴＭＳｉ ＭＬＥを開発し、これまでよりも約３５０℃の低温化に成功しました。またＴＭＳｉ ＭＬＥによる高濃度不純物ドーピング、酸化膜の堆積も実現しています。
戻る