| 整理No. | 特許番号 | 公開番号 | 特許名称 | 要 約 | |
| 61 | 2929084 | 特開平10-098010 | 化合物半導体低接触抵抗電極の形成方法 | タイトル | 直列抵抗を減らして高速に動く半導体デバイスを作る |
| 利用分野 | 高速半導体デバイス | ||||
| 活用の視点・ポイント | 化合物半導体デバイスへ電極を形成する際のプロセスを最適化し、非常に低い接触低効率を達成する方法を提供する。 | ||||
| 62 | 3188844 | 特開平10-093110 | 半導体デバイス及びその製造方法 | タイトル | テラヘルツ帯域で動作する静電誘導トランジスタの提供 |
| 利用分野 | 高速光通信・情報デバイス分野 | ||||
| 活用の視点・ポイント | ソース領域と真性ゲートの距離を実効的に電子の平均自由行程以下にした静電誘導トランジスタであり、横型の極薄接合を用いているため寄生容量も極めて小さく、低抵抗接触を用いて寄生抵抗も小さいため、テラヘルツ帯域まで動作が可能。大容量光通信分野のパルス信号セレクターなど多様な用途が見込まれる。 | ||||
| 63 | 3236228 | 特開平10-093107 | 半導体デバイス及びその製造方法 | タイトル | テラヘルツ帯域で動作する静電誘導トランジスタの提供 |
| 利用分野 | 高速光通信・情報デバイス分野 | ||||
| 活用の視点・ポイント | ソース領域と真性ゲートの距離を実効的に電子の平均自由行程以下にした静電誘導トランジスタであり、横型の極薄接合を用いているため寄生容量も極めて小さく、低抵抗接触を用いて寄生抵抗も小さいため、テラヘルツ帯域まで動作が可能。大容量光通信分野のパルス信号セレクターなど多様な用途が見込まれる | ||||
| 64 | 3407146 | 特開平07-122555 | 半導体装置の製造方法 | タイトル | 直列抵抗を減らして高速に動く半導体デバイスを作る |
| 利用分野 | 高速半導体デバイス | ||||
| 活用の視点・ポイント | 半導体デバイスへ電極を形成する際のプロセスを最適化し、非常に低い接触低効率を達成する方法を提供する。 | ||||
| 65 | 3541324 | 特開平07-122517 | 半導体装置の製造方法 | タイトル | 半導体装置の製造方法 |
| 利用分野 | 化合物半導体デバイスプロセス、特にナノメーター精度の薄膜多層構造を用いる選択的再成長セルフアラインプロセス | ||||
| 活用の視点・ポイント | ナノメーターオーダーの極薄多層薄膜構造を必要とする高機能半導体デバイスを実現するためには、従来の高温プロセスは適用できない。全てのデバイスプロセスを通じて、低温で行なう必要がある。リソグラフィー精度に制限されない高機能半導体デバイスを実現する有効なプロセスの一つが、選択的な再成長セルフアラインプロセスである。これらの要求を満たし、低温プロセスでありながら、従来の高温プロセスで得られる以上の高品質再成長界面特性が得られる。低温プロセスであるため、例えばGaAsに適用した場合、４ナノメーターの極薄不純物プロファイルを維持することができた。得られた再成長界面と結晶品質は、デバイス品質の良好なものであった | ||||
| 66 | 3345692 | 特開平07-122508 | 結晶成長方法 | タイトル | 紫外線を用いた超高真空及び気相成長のその場薄膜成長モニター方法の提供 |
| 利用分野 | 薄膜結晶成長分野 | ||||
| 活用の視点・ポイント | 紫外線による導入ガス成分のイオン化によって、イオンゲージ等を用いることが出来ない圧力条件下においても、導入ガス成分のその場モニターが可能となり、高精度な薄膜成長が可能になる。 | ||||
| 67 | 3213473 | 特開平07-030073 | 半導体デバイス及びその製造方法 | タイトル | １個の電子を情報単位として用いることが出来る静電誘導メモリデバイスの提供 |
| 利用分野 | 超低消費電力・大容量半導体メモリデバイス | ||||
| 活用の視点・ポイント | 静電誘導効果を用いた半導体メモリデバイスであり、究極的には１個の電子の電荷があるかないかによって、メモリ情報を蓄積・読み出し可能である。静電誘導ダイオード及び静電誘導トランジスタを構成デバイスとして用いるため、極めて低い消費電力と大きなノイズマージンそして１トランジスタ・１メモリ構成が可能であるため高集積化が可能で、大容量メモリに適している | ||||
| 68 | 3385385 | 特開平06-275572 | エッチング方法 | タイトル | 微細な構造を損傷を与えずに作るエッチング方法 |
| 利用分野 | 半導体素子の微細加工 | ||||
| 活用の視点・ポイント | ガスエッチング等の際に、ガリウム砒素半導体表面の極薄酸化膜をエッチングマスクとして使い、解像度が高い微細構造を作ることが出来る。エッチングマスクは、低温で除去でき、除去後の表面は非常に清浄で完全性も高いものが得られる。 | ||||
| 69 | 3184988 | 特開平05-160086 | 結晶面異方性ドライエッチング方法 | タイトル | 微細な構造を損傷を与えずに作るエッチング方法 |
| 利用分野 | 半導体素子の微細加工 | ||||
| 活用の視点・ポイント | ガスエッチングの際に、光照射を行って、低温で低損傷のエッチング表面が得られる。また結晶面方位による加工速度の違いを利用して、微細な構造を作ることに適している。 | ||||
| 70 | 2080359 | 特開平02-016785 | 半導体レーザ結晶成長方法及び半導体レーザの製造方法 | タイトル | 量産性に優れた半導体レーザの連続製造方法 |
| 利用分野 | 量産性液相成長による半導体レーザの製造に優れた半導体レーザの連続製造方法 | ||||
| 活用の視点・ポイント | 従来の方法では、半導体レーザウェハを製造するために、１枚のレーザウェハ毎にその都度、複雑な温度シーケンスやスライド制御を繰り返す必要があったが、本方法では一定のプロセス温度で一定間隔のスライドによって、連続的に半導体レーザ構造の生産を繰り返すことが出来る。 | ||||