整理No. 特許番号 公開番号 特許名称 要 　　　　　 約
51 2559237 特開平01-091458 半導体スイッチング素子 タイトル 大電力・高速直交変換素子
利用分野 電力用半導体スイッチングデバイスとして各種インバータや電力変換素子に用いる。
活用の視点・ポイント 電力用半導体スイッチング素子構造に関し、アノード領域とアノードショート領域を設け、ターンオフおよびターンオンの高速スイッチングを実現している。
52 1869031 特開昭63-319290 結晶成長方法 タイトル 化合物半導体素子の製造技術（超薄膜制御結晶成長）
利用分野 超高速化合物半導体トランジスタ回路や光半導体などに用いる結晶成長に有効な冷却トラップ
活用の視点・ポイント 単分子層から数Åの膜厚制御性を有する結晶成長方法を提供するものであり、HEMT構造や超格子構造を利用したナノ構造半導体ﾃﾞﾊﾞｲｽの試作に最適である。
53 1691275 特開昭63-304666 両面ゲート静電誘導サイリスタの製造方法 タイトル 大電力・高速直交変換素子の製造方法
利用分野 電力用半導体スイッチングデバイスとして各種インバータや電力変換素子に用いる。
活用の視点・ポイント ダブルゲートSIサイリスタの製造方法に関し、本構造によって高耐圧大電流のSIサイリスタを実現し、中小電力用半導体スイッチングデバイスを供給する。
54 2660403 特開昭63-242177 電力変換装置 タイトル 大電力・高速直交変換素子
利用分野 電力用半導体スイッチングデバイスとして各種インバータや電力変換素子に用いる。
活用の視点・ポイント 直流・交流変換（インバータ）、交流・直流変換(コンバータ）周波数変換（サイクロコンバータ）等に用いる電力変換装置において、ダブルゲート静電誘導サイリスタを用いることで、損失の少ない回路を実現できる。
55 2607371 特開昭63-240378 電力半導体変換装置 タイトル 電力変換装置の簡略化、高信頼化、高効率化
利用分野 制御回路の簡略化による、大電力分野への幅広い応用
活用の視点・ポイント サイリスタを用いた電力応用分野に対し、静電誘導サイリスタを用いたインバータ等電力変換装置において、共通電源で駆動できるゲート回路を採用することにより回路構成の簡略化と信頼性向上を実現している。
56 2587623 特開昭63-132421 化合物半導体のエピタキシャル結晶成長方法 タイトル 化合物半導体素子の製造技術（超薄膜制御結晶成長）
利用分野 超高速化合物半導体トランジスタ回路や光半導体などの製造
活用の視点・ポイント ３元系混晶の薄膜成長に関し、従来法と異なり原料ガスをそれぞれ別個のタイミングで導入し、しかも不純物ガスも別個に導入することにより従来にない低温成長と高濃度不純物添加を実現したIII-V族化合物半導体の結晶成長方法
57 2620546 特開昭63-110719 化合物半導体のエピタキシャル層の製造方法 タイトル 化合物半導体素子の製造技術（超薄膜制御結晶成長）
利用分野 超高速化合物半導体トランジスタ回路や光半導体などの製造
活用の視点・ポイント III-V族化合物半導体の薄膜成長方法において、従来法のようにIII族およびV族物質を同時供給せず、III族物質を堆積させた表面にV族元素の水素化物を導入し表面反応させエピタキシャル成長層を得る。
58 2620578 特開昭63-110718 化合物半導体のエピタキシャル層の製造方法 タイトル 化合物半導体素子の製造技術（超薄膜制御結晶成長）
利用分野 超高速化合物半導体トランジスタ回路や光半導体などの製造
活用の視点・ポイント III-V族化合物半導体の薄膜成長方法において、従来法のようにIII族およびV族物質を同時供給せず、III族物質を堆積させた表面にV族元素の水素化物を導入し表面反応させエピタキシャル成長層を得る。
59 1706527 特開昭63-084066 集積化光トリガ・光クエンチ静電誘導サイリスタ及びその製造方法 タイトル 大電力・高速直交変換素子
利用分野 電力用半導体スイッチングデバイスとして各種インバータや電力変換素子に用いる。
活用の視点・ポイント 光トリガ静電誘導サイリスタと静電誘導ホトトランジスタを集積化した静電誘導サイリスタ（LTQSIサイリスタ）の構造と製造方法に関し、光パルスで大電力を高速・高効率に直交変換できる。制御回路と大電力部分を完全に分離できることが特徴である。
60 2657912 特開昭62-290349 サイリスタ装置 タイトル 大電力・高速直交変換素子
利用分野 電力用半導体スイッチングデバイスとして各種インバータや電力変換素子に用いる。
活用の視点・ポイント サイリスタを高速にドライブするためのゲートドライブ回路を設け、サイリスタの等価入力容量と共振用のインダクタンス成分を挿入し、共振現象により高速動作を実現している。